Найден материал для создания искусственного мозга

Наиболее перспективным сегнетоэлектрическим материалом для тонкопленочных искусственных синапсов является оксид гафния, выяснили ученые.

Исследователи поняли, что для изготовления искусственных синапсов — структур, обеспечивающих контакт между нейронами, — удобны тонкопленочные структуры толщиной в несколько атомов. Они имеют малые размеры, высокую плотность и низкое энергопотребление.

Оксид гафния идеально подходит для этих целей, поскольку прекрасно осаждается из газовой среды с использованием современных методов создания тонкопленочных структур с высокой точностью, а процесс проходит под надежным контролем. Температуры при создании пленок совместимы с техпроцессами КМОП (CMOS) и не сожгут элементы чипа в процессе изготовления микросхем.

Другой удачный аналог удалось создать ученым из Великобритании. Специалисты из Кембриджского университета разработали похожий на паучий шелк материал, который может стать заменой одноразовому пластику.